Potencia máxima de un haz láser pulsante para la caracterización del arseniuro de galio Reportar como inadecuado




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Materias : 22 Física

Fecha de publicación : 2002

Fecha de depósito: 17-may-2012

Tipo de documento: Artículo

Resumen : ES En este trabajo se indican los límites de utilización de una técnica de caracterización de semiconductores basada en la iluminación del material con un haz láser. Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.

En : Vector Plus. Las Palmas de Gran Canaria: Fundación Universitaria, 1994- ISSN 1134-5306, n.19, 2002





Autor: González, B.Hernández, A.García, J.Pino, F.J. delSendra, J.R.

Fuente: https://acceda.ulpgc.es


Introducción



POTENCIA MÁXIMA DE UN HAZ LÁSER PULSANTE PARA LA CARACTERIZACIÓN DEL ARSENIURO DE GALIO B.
GONZÁLEZ, A.
HERNÁNDEZ, J.
GARCÍA, F.J.
DEL PINO Y J.R.
SENDRA RESUMEN Algunas propiedades físicas de los materiales semiconductores pueden medirse mediante iluminación con radiación láser y el posterior tratamiento de los fenómenos de conducción producidos.
Sin embargo, la radiación incidente puede incrementar la temperatura de la muestra hasta llegar a desvirtuar los valores de los parámetros objeto de análisis. En este artículo se estudia el impacto de la técnica indicada en la caracterización del Arseniuro de Galio.
La metodología de análisis consiste en la simulación numérica, basada en resultados experimentales, de la situación real. Los resultados delimitan la potencia máxima de la radiación manteniendo la temperatura de la muestra en valores aceptables. ABSTRACT INTRODUCCIÓN E l Arseniuro de Galio (GaAs) es un material semiconductor que, entre otras, tiene numerosas aplicaciones en optoelectrónica. Sus propiedades electroópticas pueden caracterizarse mediante una técnica basada en la iluminación con un haz láser pulsante de un dispositivo o de un “chip” de GaAs, que se desplaza a lo largo de la superficie del material.
Esta técnica se emplea por ejemplo en medidas de emisión térmica [1], en la evaluación de imperfecciones en semiconductores [2], en el estudio de nuevos mecanismos de fotoganancia [3], o como control óptico en circuitos integrados de microondas de GaAs [4]. Some physical properties of semiconductor materials can be measured by applying a laser beam on and analyzing the resulting conduction phenomena.
However, incident radiation may increase the material temperature to the point of turning out erroneous measured values. This work deals with the study of this technique when applied to the characterization of GaAs material. The analysis method is based on numerical simulation, under experimental constraints, of...






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