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Atala García, Héctor - Capítulo 3. Celdas Básicas - Celdas difusas VLSI -- Licenciatura en Ingeniería en Electrónica y Comunicaciones. - Departamento de Ingeniería Electrónica. - Escuela de Ingeniería, - Universidad de las Américas Puebla.


Introducción



3 Celdas Básicas Introducción Muchas de las celdas utilizadas a lo largo de este trabajo están conformadas por circuitos más pequeños que presentan un comportamiento particular.
En capítulos posteriores es necesario enfocarse en el funcionamiento de las celdas a ser presentadas y no desviarse en la explicación de estas topologías más sencillas, por lo que en el presente capítulo se exponen las configuraciones básicas a ser utilizadas.
Se comienza por el modelo del transistor utilizado.
Posteriormente, se presenta el circuito básico de todas las topologías expuestas en el trabajo: el espejo de corriente.
A continuación, la celda translineal utilizada posteriormente en el multiplicador-divisor.
Y por último, la celda básica utilizada para la realización del detector de máximo. 3.1 Modelo del Transistor El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) es un dispositivo que puede funcionar como un amplificador o un interruptor.
Es conocido como un transistor de efecto de campo, ya que la corriente que fluye por el canal formado entre sus terminales se debe a la intensidad de un campo eléctrico, mismo que es ocasionado por un voltaje aplicado en la terminal de control.
Cabe mencionar que la corriente es conducida por un solo tipo de portador, electrones o huecos, dependiendo del tipo de MOSFET.
En caso de que los portadores sean electrones se le conoce como MOSFET de canal n, y en caso contrario como MOSFET de canal p.
A continuación se presenta la estructura física de los dos tipos de MOSFETs mencionados anteriormente: Figura 3.1 MOSFET Tipo N Figura 3.2 MOSFET Tipo P 11 Figura 3.3 Modelo de Gran Señal Figura 3.4 Modelo de Pequeña Señal Para el modelo de gran señal, el análisis se enfoca en las características corrientevoltaje que pueden ser medidas en DC o a bajas frecuencias.
En este modelo se establece la dependencia de la corriente con el voltaje que define las condiciones de polarización del transistor y domina los ...






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