ÉTUDE PAR CANALISATION DES DÉFAUTS CRÉÉS DANS GaAs PAR LIMPLANTATION DE Zn DE 1 MeVReport as inadecuate




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Résumé : Le profil de défauts résultant du bombardement ionique d-un monocristal est d-un grand intérêt pour de nombreuses applications. Nous avons utilisé la méthode de rétrodiffusion à grand angle d-ions He+ de 1,5 MeV canalisés, pour étudier la distribution des centres de diffusion créés par l-implantation à 77 K d-ions Zn+ de 1 MeV dans GaAs. Nous avons analysé les spectres de rétrodiffusion à l-aide des calculs de diffusion plurale de Keil et de Meyer et de l-approximation linéaire de Ziegler. Les résultats de ces mesures peuvent se résumer ainsi : Les calculs de Keil et Meyer vérifiés sur des couches évaporées de Ge, ne donnent pas de très bons résultats dans le cas de nos spectres : les phénomènes de diffusion des ions du faisceau d-analyse ne sont pas les mêmes sur une zone endommagée que sur un film amorphe. Le pic et la largeur de la distribution de défauts sont en bon accord avec les calculs théoriques de Sigmund et Sanders sur le profil d-énergie déposée par les ions dans les solides. Nous montrons qu-il est nécessaire de tenir compte de l-énergie transportée par les atomes déplacés loin de leur position primitive.





Author: A. Guivarc-H H. L-Haridon

Source: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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