Electronic properties of iii-v semiconductors under 111 uniaxial strain; a tight-binding approach: i. arsenides and gallium phosphide Reportar como inadecuado




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J. Juan Martín Mozo ;Nova Scientia 2009, 2-1 3

Autor: Miguel E. Mora-Ramos

Fuente: http://www.redalyc.org/


Introducción



Nova Scientia E-ISSN: 2007-0705 nova_scientia@delasalle.edu.mx Universidad De La Salle Bajío México Mora-Ramos, Miguel E.; Mozo, J.
Juan Martín Electronic Properties of III-V Semiconductors under [111] Uniaxial Strain; a Tight-Binding Approach: I. Arsenides and Gallium Phosphide Nova Scientia, vol.
2-1, núm.
3, noviembre-abril, 2009, pp.
66-93 Universidad De La Salle Bajío León, Guanajuato, México Available in: http:--www.redalyc.org-articulo.oa?id=203314886005 How to cite Complete issue More information about this article Journals homepage in redalyc.org Scientific Information System Network of Scientific Journals from Latin America, the Caribbean, Spain and Portugal Non-profit academic project, developed under the open access initiative Mora-Ramos, M.
et al. Revista Electrónica Nova Scientia -Propiedades electrónicas de semiconductores III-V sometidos a tensión uniaxial en la dirección [111]; un enfoque según el método tight-binding: I.
Arseniuros y Fosfuro de Galio- Electronic Properties of III-V Semiconductors under [111] Uniaxial Strain; a Tight-Binding Approach: I.
Arsenides and Gallium Phosphide Miguel E.
Mora-Ramos 1y J.
Juan Martín Mozo2 1 Facultad de Ciencias, Universidad Autónoma del Estado de Morelos. Cuernavaca, Morelos 2 Centro de Investigación en Dispositivos Semiconductores-ICUAP, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla.
Puebla México Miguel E.
Mora-Ramos.
E-mail: memora@uaem.mx © Universidad De La Salle Bajío (México) Mora-Ramos, M.
et al. Resumen Empleando un esquema de cálculo tight-binding que usa una base de orbitales sp3s*d5, s estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III V los cuales son de notable interés para la tecnología de dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.
En específico, se analiza la influencia sobre estas propiedades de una tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111], haciendo uso de una formulación basada ...





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