Nature cristallo-physico-chimique de linterface entre un semiconducteur et son oxyde propre. II. — Une conception générale de linterface semiconducteur-oxyde propreReportar como inadecuado




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Résumé : On présente une conception générale et originale de la nature cristallo-physico-chimique de l-interface oxyde propre-semiconducteur OPS sur la base d-études expérimentales des systèmes OPS formés par les semiconducteurs des groupes A4Si, Ge et A3 B 5InP, InAs, InSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb. L-interprétation des résultats expérimentaux est basée sur des considérations de correspondance quasi bidimensionnelle entre le semiconducteur et son oxyde amorphe propre, liés par liaisons chimiques régulières, à travers une couche intermédiaire très mince 1 à 3 couches monomoléculaires pour SiO 2-Si. La prise en considération d-un paramètre de coïncidence R = Nssc-Nsox permet de tirer des conclusions importantes pour tous les semiconducteurs considérés : 1 Les oxydes propres forment des couches protectrices sur la surface des semiconducteurs; 2 Il existe toujours des atomes de semiconducteur et d-oxygène non liés ou liés partiellement dans la couche intermédiaire, qui peuvent former des centres chargés « génétiques » intrinsèques à l-interface OPS. 3 Il existe toujours des liaisons chimiques covalentes rompues et non saturées recouvertes par l-oxyde propre à l-interface OPS, qui peuvent former des états rapides d-interface, dont les paramètres Ess, Nss, A p, An sont déterminés soit par l-interaction coulombienne avec les centres chargés de la couche intermédiaire partie continue du spectre NssE, soit par la liaison chimique avec des impuretés de nature « biographique » par exemple des métaux Cu, Ag, Au, Rh, Ru, Pt, Fe, Co, Ni etc. qui représentent la partie discrète du spectre N ssE. L-interprétation générale de la nature de l-interface OPS prend en considération simultanément trois aspects principaux de l-interaction des deux substances : les aspects cristallographique, chimique et physique.

Keywords : electrochemistry interface electron states oxidation semiconductor insulator boundaries semiconductor insulator interface quasitwo dimensional structural oxide semiconductor systems Si Ge InP InAs InSb GaN GaP GaAs GaSb aqueous electrolytes double electrical layer electrophysical properties chemical correspondence contact monolayers chemical aspects





Autor: O.V. Romanov

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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