ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DE LA DIFFUSION INDUITE PAR LASERReportar como inadecuado




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1 LMP - Laboratoire de métallurgie physique 2 IReS - Institut de Recherches Subatomiques

Résumé : Une étude du phénomène de diffusion induite par faisceau laser de différents dopants dans le silicium est menée par Microscopie Electronique. Des points communs sont établis entre les résultats obtenus par cette méthode et par implantation concentration maximum en solution solide, coefficient de ségrégation, apparition d-instabilités,



Les paramètres expérimentaux sont choisis épaisseur déposée, type de dopant, énergie du laser,

. de manière à favoriser la bonne intégration du dopant dans la matrice, ou, au contraire, l-apparition de cellules de ségrégation dues aux instabilités de l-interface solide-liquide. L-étude porte sur quatre dopants Sb, Ga, Bi, In, pour différentes épaisseurs déposées 50 à 150 A. Les résultats donnés par Microscopie sont en bon accord d-une part avec les résultats RBS, et d-autre part avec un modèle développé pour la diffusion induite par laser.





Autor: F. Broutet - J. Desoyer - E. Fogarassy - P. Siffert -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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