Oxydation catalytique du silicium : lobtention de couches doxydes uniformesReportar como inadecuado




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Résumé : L-oxydation catalytique du silicium 111 à l-aide des métaux alcalins, particulièrement le potassium, est étudiée dans notre groupe depuis plusieurs années, à l-aide de diverses techniques. Il est bien connu qu-à température ambiante, on ne peut déposer qu-une monocouche de potassium et qu-il n-en résultera qu-une faible quantité d-oxyde sous forme d-une mince couche uniforme. Le défi est de déterminer dans quelles conditions on peut arriver à obtenir des couches plus épaisses et toujours uniformes. Ainsi, sur un échantillon de Si111 refroidi à environ -125°C, il est possible de déposer une plus grande quantité de potassium. Toutefois, tel que confirmé par SEM, micro-AES et AFM, le mécanisme d-adsorption de potassium à cette température est caractérisé par une croissance en îlots du type Stranski-Krastanov. Après exposition à l-oxygène, la désorption subséquente du potassium à température modérée 700°C donne des îlots de SiO2 entourés d-une mince couche uniforme de SiO2. Cependant nos travaux ont montré que l-on peut obtenir une couche uniforme de SiO2 si la couverture de potassium est exposée à une basse pression d-oxygène 10-8 mbar. On peut arriver au même résultat si l-adsorption de potassium s-effectue simultanément avec l-exposition à l-oxygène à température ambiante. L-élimination finale du potassium est confirmée par des mesures SIMS.





Autor: Daniel Roy B. Lamontagne

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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