Résolution analytique bidimensionnelle de léquation de diffusion dans le cas des structures silicium-sur-isolantReportar como inadecuado




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Résumé : La redistribution d-impuretés dans les semiconducteurs lors des processus de réalisation des circuits intégrés constitue une étape d-une importance capitale pour la mise au point et le développement de filières. Ces profils de diffusion doivent être connus avec précision si l-on veut maîtriser et modéliser correctement le fonctionnement électrique des circuits intégrés. Actuellement, il existe de nombreux simulateurs bidimensionnels de processus sur silicium massif dont le plus connu reste SUPRA. Mais il ne sont pas assez généraux pour pouvoir simuler des processus sur d-autres structures silicium-sur-isolant par exemple. Dans cet article, nous présentons une résolution analytique bidimensionnelle de l-équation de diffusion dans le cas d-une structure SIMOX Separation by IMplanted OXygen. Le modèle établi prend en compte les conditions limites propres à cette structure ainsi que le profil initial d-implantation. Comme exemple, nous simulons la formation de la zone d-isolement dans cette structure : implantation et redistribution du bore pendant la croissance de l-oxyde de champ.

Keywords : boron diffusion in solids elemental semiconductors impurity distribution integrated circuit technology semiconductor doping semiconductor insulator boundaries silicon silicon compounds VLSI SOI impurities semiconductors integrated circuits diffusion profiles SUPRA Silicon On Insulator diffusion equation SIMOX structure ion implantation profile isolation zone implantation redistribution field oxide Si:B SiO sub 2





Autor: I. Sweid N. Guillemot G. Kamarinos

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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