Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquideReportar como inadecuado




Jonctions Ga0,96Al0,04Sb adaptées à la photodétection à 1,55 μm réalisées par épitaxie en phase liquide - Descarga este documento en PDF. Documentación en PDF para descargar gratis. Disponible también para leer online.



Résumé : Nous décrivons la méthode de fabrication et les propriétés photoélectriques de trois types de diodes fabriquées à partir de couches de Ga0,96Al 0,04Sb déposées par épitaxie en phase liquide sur substrat n + GaSb. 1 Dans les jonctions p+ -n diffusées Zn la conduction inverse, avant avalanche, est dominée par l-effet tunnel J- 5 V = 8,1 × 10-1 A-cm2. 2 Dans les jonctions p-n épitaxiées on observe une réduction du courant inverse J- 5 V = 2,4 x 10 -2 A-cm2 qui peut être associée à une diminution du dopage effectif dans ce type de diode. Les rendements externes à 1,55 μm de ces deux dispositifs sont voisins de 0,27. 3 Les premiers dispositifs planar diffusés Zn sont de moins bonne qualité en relation probable avec des fronts de diffusion mal définis en bord de fenêtre. L-obtention d-un dispositif avalanche performant NEP = 8,4 x 10-12 W- √Hz à partir des jonctions épitaxiées est conditionnée à la réduction des courants de fuite de surface.

Mots-clés : n junctions p sup aluminium compounds gallium compounds III V semiconductors liquid phase epitaxial growth p n homojunctions photodetectors semiconductor growth semiconductor photodetection liquid phase epitaxy diodes photoelectrical properties tunnel effect p n junctions reverse current effective doping level external efficiency diffused planar devices diffusion defects avalanche device 1.55 micron Ga sub 0.96 Al sub 0.04 Sb junctions





Autor: M. Perotin L. Gouskov H. Luquet A. Jean P. Silvestre D. Magallon C. Martinez G. Bougnot

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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