Couches minces doxynitrure de phosphore. Application aux structures MIS sur InPReportar como inadecuado




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Résumé : Nous présentons une méthode permettant de préparer des couches minces d-oxynitrure de phosphore stables, homogènes et insensibles à l-humidité destinées à la passivation de la surface d-InP. Les couches minces ont été obtenues directement à partir du produit passivant massif PON déjà élaboré ; cette technique a permis de les préparer sur substrats InP aux basses températures 290 °C. L-analyse XPS a permis de les identifier aux composés du type PO xNyHz avec 1,61 ≤ x ≤ 1,93, 0,63 ≤ y ≤ ≤0,73, 0,41 ≤ z ≤ 0,75. Les caractéristiques C V des structures MIS présentent une hystérésis qui est de 0,20 V seulement pour une épaisseur d-oxynitrure de 33 nm, ce qui traduit une bonne compatibilité entre le substrat InP et le dépôt isolant. La densité des états d-interface, dans le cas le plus favorable, atteint 5 x 10^11 cm-2 eV-1.

Keywords : CVD coatings electronic density of states III V semiconductors indium compounds interface electron states metal insulator semiconductor structures phosphorus compounds X ray photoelectron spectra interface state density CVD passivation electrical characteristics semiconductor X ray photoelectron spectroscopy MIS structures hysteresis 290 degC PON solid sample PO sub x N sub y H sub z InP InP





Autor: Dang Tran Quan A. Le Bloa H. Hbib O. Bonnaud J. Meinnel A. Quemerais R. Marchand

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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