Passivation de photodiodes pin en GaInAs par SiNx UVCVDReportar como inadecuado




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Résumé : Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs.
La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisation de structures MIS sur GaInAs et InP.
Aucune dégradation du courant de fuite n-a été observé sur les photodiodes pin de type mesa avant et après le dépôt de SiNx .
Finalement, la passivation a été testée par une expérience de vieillissement à haute température.


Keywords : ageing chemical vapour deposition electronic conduction in insulating thin films gallium arsenide III V semiconductors indium compounds infrared spectra of inorganic solids metal insulator semiconductor structures p i n diodes passivation photodiodes silicon compounds semiconductor mesa type diodes GaInAs pin photodiodes UVCVD SiN sub x thin films low temperature structural evaluation IR spectroscopy electrical characteristics MIS structures degradation leakage current high temperature aging SiN GaInAs InP





Autor: Y.
Le Bellégo P.
Blanconnier J.P.
Praseuth


Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/





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