Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InPReportar como inadecuado




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Résumé : Nous utilisons un mode de dépôt de silice photochimique pour la réalisation d-un transistor MISFET sur substrat en phosphure d-indium, InP, à grille autoalignée. Cette technique nécessite l-emploi d-un recuit à haute température. Nous avons soumis ces films à des recuits rapides, sous lampes, dans une gamme de température de 300 à 900 °C. Les analyses ont été faites par spectroscopie infrarouge par transmission, ellipsométrie spectroscopique, mesures de capacités de diodes MIS à 1 MHz, et courants de fuite. Nous avons constaté une déshydratation rapide, une amélioration notable de la résistivité et de la constante diélectrique. Il apparaît des charges fixes dans l-oxyde qu-un recuit à basse température permet d-éliminer. La densité de ces films est de 2,06. L-ellipsométrie révèle un léger excès de silicium 1 %. Les performances des premiers transistors restent modestes 12 mS-mm mais avec une faible dérive < qq % sur 10 4 s à Vds = 0,1 V et Vgs = 2,5 V.

Keywords : annealing chemical vapour deposition density of solids electronic conduction in insulating thin films ellipsometry III V semiconductors indium compounds infrared spectra of inorganic solids insulated gate field effect transistors permittivity photochemistry silicon compounds semiconductor UVCVD silica photochemical technique silica deposition self aligned gate MISFET high temperature anneal rapid thermal annealing infrared transmission spectroscopy spectroscopic ellipsometry capacitance MIS diodes leakage current dehydration resistivity dielectric constant low temperature anneal density transconductance low current drift 300 to 900 degC 1 MHz InP substrate InP SiO sub 2





Autor: J.L. Courant P. Dimitriou G. Post

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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