Qualité diélectrique de couches minces isolantes de GaN obtenues par pulvérisation cathodique réactiveReportar como inadecuado




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Résumé : Les propriétés diélectriques de couches minces isolantes de GaN, obtenues à 150 °C par pulvérisation cathodique réactive, sont analysées à température ambiante avec, comme perspectives, la réalisation de structures MIS et la passivation de GaAs.
La dispersion de l-indice optique est déterminée par spectrophotométrie.
La permittivité, déduite de mesures capacitives, est ε r = 12,4 ± 0,5 dans le domaine 10^3-10^7 Hz ; elle présente une dispersion à plus basse fréquence.
La conductivité, dominée par l-effet Poole-Frenkel, atteint 10^-13 Ω -1 cm-1 à faible champ.
Le champ de claquage est de 1,5 MV cm-1.
Une étude comparative de ces propriétés est menée simultanément pour des couches minces de AlN obtenues par le même procédé.
Enfin sont analysées les limitations de l-emploi de GaN comme isolant dans des structures MIS.


Keywords : dielectric thin films electronic conduction in insulating thin films gallium compounds III V semiconductors insulating thin films metal insulator semiconductor structures refractive index semiconductor thin films sputtered coatings semiconductors insulating films reactive sputtering device purposes MIS structures optical index reflexion measurements spectrophotometer permittivity capacitive measurements conductivity Poole Frenkel effect breakdown field AlN films 10 sup 3 to 10 sup 7 Hz GaN





Autor: R.
Carin


Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/





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