Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. Report as inadecuate




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En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada TSC para la obtención de la densidad de estados DOS a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro μc-Si:H B y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón., In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique TSC is presented. Density of states DOS was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples μc-Si:H B and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product mobility of electron × lifetime of the electron.

Tipo de documento: Artículo - Article

Palabras clave: Semiconductores, películas delgadas, DOS., Semiconductors, Thin Films, DOS.





Source: http://www.bdigital.unal.edu.co


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momento Revista de Fı́sica, No 32, Junio 2006 ANÁLISIS DEL MÉTODO DE TSC PARA LA OBTENCIÓN DE LA DOS EN MATERIALES SEMICONDUCTORES A.
Dussan Departamento de Fı́sica, Universidad Nacional de Colombia, Bogotá Resumen En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales.
Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [µc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada.
Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto µn τn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón). Palabras claves: Semiconductores, pelı́culas delgadas, DOS. Abstract In this work, a detailed study of thermally stimulated conductivity technique (TSC) is presented.
Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [µc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modulated photoconductivity methods.
To explain the poor agreement between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simulations that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the µn τn product (mobility of electron × lifetime of the electron). Keywords: Semiconductors, Thin Films, DOS. A.
Dussan: e-mail: adussanc@unal.edu.co 15 16 1. A.
Dussan Introducción La conductividad estimulada térmicamente (TSC) en combinación con medidas de fotoconductividad, proporciona información directa acerca de la distribución energética de estados en la mitad superior del “gap”, es decir en la región comprendida entre el nivel de Fermi ...






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