en fr Selective growth study by tertiary-butyl chloride TBCl assisted MOVPE. Application to the realisation so electro-optical modulators on InP substrate. Croissance sélective dInP dopé fer par MOVPE assistée par Tertio-ButylReportar como inadecuado




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1 LASMEA - Laboratoire des sciences et matériaux pour l-électronique et d-automatique

Abstract : Fabrication of 40 GBits-s Semi-Insulating Buried Heterostructure SIBH electroabsorbtion modulatoirs based on GaInAsP or AlGalnAs grown on InP substrates and buried in Fe doped semi-insultataing InP by Metal-Oganic Vaport Phase Epitaxy MOVPE requires the optimization of : MOVPE growth conditions to obtain planarized surface after regrowth on high > 5 µmmodulatoir stipes in order to allw components fabrication, optimization, of semi-insulating behavior of Fe-doped InP to reach 40 GBits-s and optimization of the regrowth interface between modulator stripe and the semi-insulating InP to allow functionning in reverse polarization. This PhD contributes to the development and the fabrication of components possessing these characteristics with the help of Tertiary-Butyl Chloride TBCI or CH33CCI during the MOVPE growth.

Résumé : La fabrication de modulateurs electroabsorbants fonctionnant à 40 GBits-s de type SIBH Semi-Insulating Buried Heterostructure à base de GaInAsP ou D-AlGaInAs sur substrat d-InP et enterrés dans de l-InP semi-isolant dopé Fer par Epitaxie en Phase Vapeur aux Organo-Métalliques MOVPE nécessite l-optimisation : des conditions de croissance MOVPE pour obtenir la planarisation de la surface après reprise sur rubans modulateurs de fortes > 5mum et permettre la fabrications des composants, du caractère semi-isolant de l-InP de confinement dopé Fer résistivité>10 puissance 8 ohm.cm pour atteindre le débit de 40 GBits-s et de l-interface de reprise entre le ruban et le confinement en InP semi-isolant pour le fonctionnement des composants en régime de polarisation inverse. Cette thèse contribue au développement et à la fabrication de composants possédants ces caractéristiques grâce à l-ajout de Tertio-Butyle de Chlore TBCl ou CH33CCl au cours de la croissance par MOVPE.

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Mots-clés : modulateurs électro-optique

keyword : electro-optical modulators





Autor: Stéphane Gouraud -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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