Contribution à létude par simulation atomistique des dislocations dans les semiconducteursReportar como inadecuado




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1 LMP - Laboratoire de métallurgie physique

Résumé : Ce document décrit les résultats de plusieurs études des dislocations dans les semiconducteurs, effectuées au cours de la période 2000-2005. Le premier chapitre se rapporte à la nucléation des dislocations à partir de défauts de surface, le second chapitre à la détermination de diverses propriétés des dislocations en massif. Enfin, le dernier chapitre concerne les dislocations de misfit à l-interface entre Si001 et SiC.

Mots-clés : Dislocations simulations atomistiques ab initio surface interface silicium





Autor: Laurent Pizzagalli -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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