Imagerie 2D du champ électrique dans les diodes SiC-4H haute tension par la technique OBICReportar como inadecuado




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* Corresponding author 1 EE - Ampère, Département Energie Electrique 2 ISL - Institut Franco-Allemand de recherches de Saint-Louis

Résumé : L-usage des semi-conducteurs à large bande interdite est en train de se répandre, notamment pour la réalisation de composants à haute tension. Cependant, certains composants montrent des claquages pour des tensions inférieures aux tensions théoriques prévues. Ces claquages prématurés sont en général liés à l-imperfection des protections périphériques des jonctions, dont le rôle est de réduire les pics de champ en bordure du composant. Il est donc important -d-observer- le champ électrique en périphérie du composant afin de détecter les faiblesses de protection. Ce papier présente une imagerie 2D du champ électrique par la technique OBIC Optical Beam Induced Current. Des cartographies 2D ont été réalisées sur des diodes protégées par une JTE Junction Termination Extension montrant une image du champ électrique aux périphéries et aux courbures des diodes. D-autres mesures ont été faites sur des diodes ZENER avec protection MESA munies d-une fenêtre optique.

Mots-clés : Absorption photonique OBIC Champ électrique SiC-4H Caractérisation des composants





Autor: Hassan Hamad - Pascal Bevilacqua - Dominique Planson - Christophe Raynaud - Dominique Tournier - Bertrand Vergne - Mihai Lazar -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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