Modélisation Electrothermique distribuée dune puce IGBT : Application aux effets du vieillissement de la métallisation sur les régimes de court-circuitReportar como inadecuado




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* Corresponding author 1 IFSTTAR-COSYS-LTN - Laboratoire des Technologies Nouvelles

Résumé : Un modèle électrothermique distribué d-une puce IGBT a été développé afin de mettre en évidence par simulation le phénomène de latch-up dynamique observé expérimentalement lors de la coupure d-un courant de court-circuit sur ces composants. Ce modèle est basé sur un couplage d-un réseau thermique de Cauer 3D et d-un réseau de macro-cellules IGBT, chacune sur la base du modèle électro-thermique IGBT de Hefner, représentant la puce discrétisée spatialement. Le modèle d-IGBT de Hefner a été modifié pour pouvoir prendre en compte l-effet du latch-up. Le couplage est direct et fonctionne sous l-environnement Simplorer en VHDL-AMS. Le modèle a été utilisé pour rendre compte de l-impact du vieillissement de la métallisation d-émetteur de la puce sur la redistribution des températures et des courants entre macro-cellules lors du phénomène de court-circuit. Il a également été utilisé pour montrer l-influence éventuelle de ce même vieillissement sur le phénomène de latch-up dynamique.





Autor: Jeff Moussodji Moussodji - Thierry Kociniewski - Zoubir Khatir -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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