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1 ISA - Institut des Sciences Analytiques

Abstract : The main goal of this thesis was to develop reliable surface analysis methods to characterize various new materials used in very small size structures typical of current developments in microelectronics applications. A particular interest has been taken in combining several complementary techniques. The first study was focused on potential artifacts when characterizing insulating layers silicon dioxide and fluorine doped silicon dioxide – FTEOS which are used between metal layers in chips. A comprehensive study of the electron dose effects in AES was performed using complementary AES and XPS techniques. The results revealed chemical changes in the outermost surface suboxides that depend on the nature of the material. The second study was focused on the development of an analytical methodology to characterize the passivation layer on the etch sidewalls after two successive plasma etching processes applied onto very small size structures 300 nm lines and 200 nm trenches. This methodology was based on the use of the differential charging effect that takes place when analyzing simultaneously two materials exhibiting different electrical properties and on the complementarity of ToF-SIMS and XPS characterizations including angular resolved XPS AR-XPS. The chemical composition of the outermost surface of the sidewall passivation layer could then be determined. The surface of that layer was found to be consisting mostly from oxygen than reacted with silicon to form silicon suboxides with various stoichiometries

Résumé : L-objectif principal de ce travail de thèse a été de développer des méthodologies d-analyse de surface fiables pour caractériser divers nouveaux matériaux intégrés dans des structures de très faibles dimensions caractéristiques des développements actuels de la microélectronique. Un intérêt particulier a été porté sur l-utilisation combinée de plusieurs techniques complémentaires. Une première étude a porté sur les artefacts de caractérisation de couches isolantes dioxyde de silicium et dioxyde de silicium dopé au fluor – FTEOS situées entre les niveaux de métallisation des puces. Une étude systématique des effets de la dose électronique liée à une analyse AES a été réalisée en utilisant la complémentarité des techniques AES-XPS. Les résultats ont révélé des changements chimiques en extrême surface sous-oxydes dépendant de la nature du matériau. La seconde étude a porté sur la mise en oeuvre d-une méthodologie analytique pour la caractérisation de la couche de passivation formée sur les flancs de gravure après deux gravures plasma successives sur des structures de très faibles dimensions lignes de 300 nm et tranchées de 200 nm. Cette méthodologie a été basée sur l-utilisation de l-effet de charge différentiel, observé lors d‘analyses simultanées de deux matériaux de propriétés électriques différentes, ainsi que sur la complémentarité des caractérisations par XPS et ToF-SIMS y compris des analyses XPS résolues en angles AR-XPS. La composition chimique de l-extrême surface de la couche de passivation a ainsi pu être déterminée sur des parois verticales. La surface de cette couche a révélé être composée principalement par de l-oxygène ayant réagi avec le silicium pour former des sous-oxydes de silicium de différentes stoechiométries

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Keywords : Multitechnique approach Surface analysis Artifacts Electron dose

Mots-clés : Dose électronique Approche multitechnique Analyse de surface AES XPS ToF-SIMS Inter Metal Dieletric Artefacts





Autor: Anthony James -

Fuente: https://hal.archives-ouvertes.fr/



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